
Nghiên cứu mô phỏng và công nghệ chế tạo transistor có độ linh động điện tử cao dựa trên GaN : LATS Vật lý kỹ thuật: 9.52.04.01 / Nguyễn Trung Đô
Tác giả : Nguyễn Trung Đô
Năm xuất bản : 2024
Nơi xuất bản : H.
Mô tả vật lý : v, 144 tr. : minh hoạ ; 30 cm + 1 tt
Số phân loại : 621.384134
Chủ đề : 1. Đèn bán dẫn#7 .$2Bộ TK TVQGChế tạo#7 .$2Bộ TK TVQGLinh kiện vi điện tử.
Thông tin chi tiết
Tóm tắt : | Tổng quan về vật liệu bán dẫn GaN và linh kiện GaN HEMT; mô phỏng vật liệu GaN và linh kiện GaN HEMT; chế tạo thử nghiệm linh kiện HEMT với tiếp xúc Ohmic có điện trở thấp tại nhiệt độ ủ thấp hơn 700°C; nghiên cứu chế tạo cấu trúc MOS - HEMT sử dụng lớp điện môi high-k |
Thông tin dữ liệu nguồn
Thư viện | Ký hiệu xếp giá | Dữ liệu nguồn |
---|---|---|
![]() |
LA24.1016.1##LA24.1016.2##LA24.10 |
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-958957.html |