Thư viện tập trung - Thư viện điện tử

Sách, tuyển tập

Nghiên cứu ảnh hưởng của các cấu hình nhám bề mặt lên đặc tính vận chuyển của điện tử trong các cấu trúc giếng lượng tử làm từ vật liệu giả kẻm có hằng số mạng không khớp nhau / Nguyễn Thành Tiên ; Vũ Ngọc Tước (hướng dẫn khoa học)

Tác giả : Nguyễn Thành Tiên ; Vũ Ngọc Tước (hướng dẫn khoa học)

Nhà xuất bản : Đại học Cần Thơ

Năm xuất bản : 2003

Nơi xuất bản : Cần Thơ

Mô tả vật lý : 63 tr. ; 27 cm

Số phân loại : 530

Chủ đề : 1. Physics. 2. Vật lý đại cương.

Chia sẻ

Thông tin chi tiết

Tóm tắt :

Luận văn đã chứng minh rằng với một số cấu hình bề mặt tiếp giáp (quy luật Gaussian, quy luật Exponent, quy luật mũ) trong hố lượng tử lệch mạng thực luôn luôn tồn tại các thăng giáng ngẩu nhiên của trường ứng suất. Trong trường hợp hố lượng tử cấu trúc giả kẽm, sự biến thiên ứng suất có thể tạo ra một mật độ điện tích áp điện thăng giáng lớn và một trường áp điện ngẫu nhiên thậm chí trên hướng nuôi có tính đối xứng cao như hướng [001]. Trường này là sự kết hợp của cả hai yếu tố lệch mạng và nhám bề mặt trong khi trường áp điện truyền thống thì chỉ ảnh hưởng từ yếu tố đầu. Luận văn đã thực hiện tính số cho một số cấu hình bề mặt tiếp giáp. Cuối cùng việc đoán nhận kết quả của luận văn là sự ảnh hưởng của bề mặt nhám vào đặc điểm chuyển của hệ thống lượng tử mà độ không đều của bề mặt phải được tính đến

Chia sẻ

Hiển thị MARC

Thông tin dữ liệu nguồn

Thư viện	Ký hiệu xếp giá	Dữ liệu nguồn
Thư viện đại học Cần Thơ		https://lrcopac.ctu.edu.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-83360.html

Ldr		00025nam a2200024 a 4500
001		CLN251886441
082	04	$221st ed.$a530$bT305
088	##	$a604401
100	1#	$aNguyễn, Thành Tiên
245	10	$aNghiên cứu ảnh hưởng của các cấu hình nhám bề mặt lên đặc tính vận chuyển của điện tử trong các cấu trúc giếng lượng tử làm từ vật liệu giả kẻm có hằng số mạng không khớp nhau /$cNguyễn Thành Tiên ; Vũ Ngọc Tước (hướng dẫn khoa học)
260	##	$aCần Thơ :$bĐại học Cần Thơ ,$c2003
300	##	$a63 tr. ;$c27 cm
502	##	$aLuận văn thạc sĩ chuyên ngành vật lý lý thuyết
520	##	$aLuận văn đã chứng minh rằng với một số cấu hình bề mặt tiếp giáp (quy luật Gaussian, quy luật Exponent, quy luật mũ) trong hố lượng tử lệch mạng thực luôn luôn tồn tại các thăng giáng ngẩu nhiên của trường ứng suất. Trong trường hợp hố lượng tử cấu trúc giả kẽm, sự biến thiên ứng suất có thể tạo ra một mật độ điện tích áp điện thăng giáng lớn và một trường áp điện ngẫu nhiên thậm chí trên hướng nuôi có tính đối xứng cao như hướng [001]. Trường này là sự kết hợp của cả hai yếu tố lệch mạng và nhám bề mặt trong khi trường áp điện truyền thống thì chỉ ảnh hưởng từ yếu tố đầu. Luận văn đã thực hiện tính số cho một số cấu hình bề mặt tiếp giáp. Cuối cùng việc đoán nhận kết quả của luận văn là sự ảnh hưởng của bề mặt nhám vào đặc điểm chuyển của hệ thống lượng tử mà độ không đều của bề mặt phải được tính đến
650	#0	$aPhysics
653	##	$aVật lý đại cương
700	1#	$aVũ, Ngọc Tước$eHướng dẫn khoa học
720	1#	$aVũ Ngọc Tước$eHướng dẫn khoa học
856	04	$fXem toàn văn$uhttp://digital.lrc.ctu.edu.vn/digital/?s=4&&bib_id=83360
900		1
925		G
926		0
927		SH

Thông tin dữ liệu nguồn

Tài liệu cùng tác giả

Tài liệu cùng danh mục chủ đề

Lời ngỏ

Mục đích và phương châm hoạt động

Bản quyền