loading

Low specific contact resistance and high-temperature reliability of Ni/Nb Ohmic contacts on 4H-SiC for harsh environment applications: Thesis/ Vuong Van Cuong

Tác giả : Vuong Van Cuong

Năm xuất bản : 2020

Nơi xuất bản : Hiroshima

Mô tả vật lý : 197 p.: ill.; 30 cm 1 resume

Số phân loại : 621.3815

Chủ đề : 1. Bán dẫn. 2. Điện tử. 3. Môi trường khắc nghiệt. 4. Tiếp xúc ohmic.

Thông tin chi tiết

Tóm tắt :

Nghiên cứu điện trở suất thấp và độ ổn định nhiệt độ cao của tiếp xúc Ni/Nb ohmic trên 4H-SiC. Chỉ ra rằng, trong khi tiếp xúc Nb/Ni/4H -SiC mất đi tính chất ohmic chỉ sau 10 giờ nung ở 400℃, tiếp xúc Nb/Ni/4H-SiC vẫn duy trì tính chất ohmic sau 100 giờ nung. Các phép phân tích chỉ ra rằng, khi Nb là lớp kim loại đầu tiên, các nguyên tử các-bon dư thừa được kiểm soát tốt hơn bằng việc hình thành cấu trúc Nb5C6, do đó chúng tăng cường tính ổn định ở nhiệt độ cao của tiếp xúc Nb/Ni/4H–SiC. Xem xét sự phụ thuộc của điện trở suất thấp cũng như tính ổn định nhiệt độ cao vào bề dày của các lớp kim loại Ni và Nb. Sự cải thiện của điện trở suất thấp và tính ổn định nhiệt độ cao của tiếp xúc Ni/Nb/4H-SiC với xử lý bề mặt bằng plasma CF4:O2. Nghiên cứu áp dụng tiếp xúc ohmic Ni/Nb/4H-SiC cho mạch tích hợp dựa trên 4H-SiC MOSFET cho thấy mạch tích hợp thể hiện được độ ổn định tốt cả về tính chất của 4H-SiC MOSFET cũng như hệ số khuyếch đại sau 100 giờ nung ở 400℃, ohmic Ni/Nb/4H-SiC là một ứng cử viên tiềm năng áp dụng cho mạch tích hợp dựa trên 4H-SiC cho các môi trường khắc nghiệt

 Thông tin dữ liệu nguồn

 Thư viện  Ký hiệu xếp giá  Dữ liệu nguồn
Thư viện Quốc gia Việt Nam LA20.2240.1, LA20.2240.2, LA20.2240.3
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-869936.html