loading

Nghiên cứu động học quá trình lắng đọng lớp hấp thụ của pin mặt trời màng CIGS trong phương pháp điện hoá: LATS Vật lý/ Đặng Thị Bích Hợp

Tác giả : Đặng Thị Bích Hợp

Năm xuất bản : 2015

Nơi xuất bản : H.

Mô tả vật lý : 122tr.: minh hoạ; 30cm 1 tt

Số phân loại : 621.31244

Chủ đề : 1. 27. 2. Động học. 3. Lắng đọng. 4. Pin mặt trời. 5. Quá trình. 6. 7. 7. 7. 8. Phương pháp điện hoá.

Thông tin chi tiết

Tóm tắt :

Nghiên cứu ảnh hưởng của nồng độ chất tạo phức axit sulfamic trong quá trình chế tạo lớp hấp thụ CIGS ứng dụng cho pin mặt trời. Xây dựng sự cân đối thông lượng các thành phần, thế lắng động để chế tạo màng CIGS với hợp thức CuIn0,70G0,30SE2. Chế tạo pin mặt trời với lớp hấp thụ CIGS và khảo sát tính chất quang điện của nó

 Thông tin dữ liệu nguồn

 Thư viện  Ký hiệu xếp giá  Dữ liệu nguồn
Thư viện Quốc gia Việt Nam LA15.1645.1, LA15.1645.2, LA15.1645.3
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-626068.html