
Electronic properties of intrinsic defects and impurities in GaN: Science ang technology/ Tran Thien Duc
Tác giả : Tran Thien Duc
Năm xuất bản : 2015
Nơi xuất bản : Linkoping
Mô tả vật lý : 55 p.: fig., tab.; 24 cm 1 resume
Số phân loại : 621.38
Chủ đề : 1. Điện tử. 2. Tạp chất. 3. Tính chất. 4. 7. 5. 7. 6. GaN.
Thông tin chi tiết
Tóm tắt : | Tập trung nghiên cứu tính chất điện của khuyết tật riêng và tạp chất trong GaN được mọc bởi 2 phương pháp halide vapor phase epitaxy (HVPE) và Metalorganic vapor phase epitaxy (MOCVD) |
Thông tin dữ liệu nguồn
Thư viện | Ký hiệu xếp giá | Dữ liệu nguồn |
---|---|---|
![]() |
LA15.1478.1, LA15.1478.2, LA15.1478.3 |
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-612323.html |