loading

Electronic properties of intrinsic defects and impurities in GaN: Science ang technology/ Tran Thien Duc

Tác giả : Tran Thien Duc

Năm xuất bản : 2015

Nơi xuất bản : Linkoping

Mô tả vật lý : 55 p.: fig., tab.; 24 cm 1 resume

Số phân loại : 621.38

Chủ đề : 1. Điện tử. 2. Tạp chất. 3. Tính chất. 4. 7. 5. 7. 6. GaN.

Thông tin chi tiết

Tóm tắt :

Tập trung nghiên cứu tính chất điện của khuyết tật riêng và tạp chất trong GaN được mọc bởi 2 phương pháp halide vapor phase epitaxy (HVPE) và Metalorganic vapor phase epitaxy (MOCVD)

 Thông tin dữ liệu nguồn

 Thư viện  Ký hiệu xếp giá  Dữ liệu nguồn
Thư viện Quốc gia Việt Nam LA15.1478.1, LA15.1478.2, LA15.1478.3
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-612323.html