
AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors using BN and AlTiO high-k gate insulators: Doctor of material science and nano/ Nguyen Quy Tuan
Tác giả : Nguyen Quy Tuan
Năm xuất bản : 2014
Nơi xuất bản : Ishikawa
Mô tả vật lý : 81 p.: ill.; 30 cm 1 resume
Số phân loại : 621.31937
Chủ đề : 1. Cách điện. 2. Khoa học vật liệu. 3. Màng mỏng. 4. Vật liệu nano. 5. 7.
Thông tin chi tiết
Tóm tắt : | Khảo sát tính chất vật lý của màng mỏng BN vô định hình, thu được từ bốc bay Manhêtron tần số radio và tính chất vật lí của màng mỏng AlxTixO thu được bởi sự lắng đọng lớp nguyên tử cho một số hợp phần Al x/ (x + y)... |
Thông tin dữ liệu nguồn
Thư viện | Ký hiệu xếp giá | Dữ liệu nguồn |
---|---|---|
![]() |
|
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-586447.html |